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DMG1016V-7
MOSFET, N/P-CH, 20V, 0.87A, SOT-563 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.124 |
| 6000+ | $0.120 |
| 12000+ | $0.119 |
| 18000+ | $0.119 |
| 30000+ | $0.117 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$372.00
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1016V-7
No. Parte Newark86AK4735
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N870mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.3ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N530mW
Disipación de Potencia de Canal P530mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
870mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.3ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
530mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.3ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
530mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Alternativas para el número de pieza DMG1016V-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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