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DMG2302UKQ-7
MOSFET, N-CH, 20V, 2.8A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2302UKQ-7
No. Parte Newark88AH6197
Rango de ProductoDMG2302UKQ
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2302UKQ-7
No. Parte Newark88AH6197
Rango de ProductoDMG2302UKQ
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id2.8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia660mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoDMG2302UKQ
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
DMG2302UKQ
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
Disipación de Potencia
660mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMG2302UKQ-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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