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DMG4468LK3-13
MOSFET, N-CH, 30V, 9.7A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG4468LK3-13
No. Parte Newark28AK8413
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.709 |
| 10+ | $0.545 |
| 25+ | $0.489 |
| 50+ | $0.432 |
| 100+ | $0.376 |
| 250+ | $0.332 |
| 500+ | $0.288 |
| 1000+ | $0.259 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG4468LK3-13
No. Parte Newark28AK8413
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id9.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.95V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.68W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.95V
Disipación de Potencia
1.68W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto