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DMG7430LFG-7
MOSFET, N-CH, 30V, 10.5A, POWERDI3333
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG7430LFG-7
No. Parte Newark07AH3752
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.378 |
| 10+ | $0.253 |
| 25+ | $0.234 |
| 50+ | $0.219 |
| 100+ | $0.205 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG7430LFG-7
No. Parte Newark07AH3752
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id10.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7000µohm
Diseño de TransistorPowerDI 3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia900mW
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI 3333
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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