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DMN3008SFGQ-7
MOSFET, N-CH, 30V, 62A, POWERDI3333 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3008SFGQ-7
No. Parte Newark28AK8530
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.410 |
| 10+ | $0.888 |
| 25+ | $0.788 |
| 50+ | $0.688 |
| 100+ | $0.588 |
| 250+ | $0.535 |
| 500+ | $0.483 |
| 1000+ | $0.417 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3008SFGQ-7
No. Parte Newark28AK8530
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id62A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3900µohm
Diseño de TransistorPowerDI3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.1W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI3333
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
62A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
Disipación de Potencia
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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