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DMN3023L-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3023L-7
No. Parte Newark07AH3765
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia900
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
DMN3023L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include load switch, DC-DC converters, and power management functions.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 6.2A at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is 44A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.9W at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN3023L-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto