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DMN3061SW-7
MOSFET, N-CH, 30V, 2.7A, SOT-323 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.394 |
| 10+ | $0.246 |
| 25+ | $0.218 |
| 50+ | $0.189 |
| 100+ | $0.161 |
| 250+ | $0.143 |
| 500+ | $0.124 |
| 1000+ | $0.112 |
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Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3061SW-7
No. Parte Newark12AJ7116
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8V
Disipación de Potencia490mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
490mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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