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DMN53D0LW-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN53D0LW-7
No. Parte Newark28AK8599
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id360mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.73ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia320mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
320mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
360mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.73ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto