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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN6013LFGQ-7
No. Parte Newark39AH6596
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semana(s)
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN6013LFGQ-7
No. Parte Newark39AH6596
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id45
Resistencia de Activación Rds(on)0.0093ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0093
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1W
Diseño de TransistorPowerDI3333
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia1
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0093ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0093
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerDI3333
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto