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DMN62D0LFD-7
MOSFET, N-CH, 60V, 0.31A, X1-DFN1212 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 100+ | $0.080 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN62D0LFD-7
No. Parte Newark28AK8634
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorX1-DFN1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia480mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3ohm
Diseño de Transistor
X1-DFN1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
480mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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