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DMN63D8LDWQ-7
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 220 mA, 2.8 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN63D8LDWQ-7
No. Parte Newark28AK8643
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN63D8LDWQ-7
No. Parte Newark28AK8643
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P220mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.8ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N400
Disipación de Potencia de Canal P400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
220mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.8ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
400mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.8
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto