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DMN65D8L-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.140 |
| 10+ | $0.098 |
| 25+ | $0.082 |
| 50+ | $0.067 |
| 100+ | $0.051 |
| 250+ | $0.051 |
| 500+ | $0.050 |
| 1000+ | $0.050 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN65D8L-7
No. Parte Newark82Y6582
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia370mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
DMN65D8L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface-mount package, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 310mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 370mW at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
370mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN65D8L-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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