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DMP1009UFDF-7
MOSFET, P-CH, 12V, 11A, U-DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1009UFDF-7
No. Parte Newark36AJ3592
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.551 |
| 10+ | $0.431 |
| 25+ | $0.405 |
| 50+ | $0.380 |
| 100+ | $0.354 |
| 250+ | $0.340 |
| 500+ | $0.325 |
| 1000+ | $0.285 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1009UFDF-7
No. Parte Newark36AJ3592
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0083ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorU-DFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia2W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0083ohm
Diseño de Transistor
U-DFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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