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DMP10H400SK3-13
MOSFET, P-CH, -100V, -9A, TO252
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP10H400SK3-13
No. Parte Newark07AH3794
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.784 |
| 10+ | $0.723 |
| 25+ | $0.617 |
| 50+ | $0.509 |
| 100+ | $0.403 |
| 250+ | $0.392 |
| 500+ | $0.382 |
| 1000+ | $0.380 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP10H400SK3-13
No. Parte Newark07AH3794
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.24ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia42W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.24ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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