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DMP2023UFDF-7
MOSFET, P-CH, 20V, 7.6A, UDFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2023UFDF-7
No. Parte Newark81AH9850
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.912 |
| 10+ | $0.822 |
| 25+ | $0.741 |
| 50+ | $0.662 |
| 100+ | $0.581 |
| 250+ | $0.482 |
| 500+ | $0.381 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2023UFDF-7
No. Parte Newark81AH9850
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id7.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorUDFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia730mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027ohm
Diseño de Transistor
UDFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
730mW
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
7.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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