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DMP2066LSS-13
MOSFET, P-CH, 20V, 6.5A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2066LSS-13
No. Parte Newark28AK8705
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 10+ | $0.678 |
| 25+ | $0.606 |
| 50+ | $0.535 |
| 100+ | $0.463 |
| 250+ | $0.417 |
| 500+ | $0.371 |
| 1000+ | $0.341 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2066LSS-13
No. Parte Newark28AK8705
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia2.5W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.5W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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