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DMP22D5UFO-7B
MOSFET, P-CH, 20V, 0.51A, X2-DFN0604 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP22D5UFO-7B
No. Parte Newark13AJ5638
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.267 |
| 10+ | $0.169 |
| 25+ | $0.149 |
| 50+ | $0.131 |
| 100+ | $0.111 |
| 250+ | $0.098 |
| 500+ | $0.086 |
| 1000+ | $0.077 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP22D5UFO-7B
No. Parte Newark13AJ5638
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id510mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95ohm
Diseño de TransistorX2-DFN0604
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia770mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X2-DFN0604
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
510mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
770mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto