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DMP3010LPSQ-13
MOSFET, P-CH, 30V, 36A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3010LPSQ-13
No. Parte Newark28AK8732
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.410 |
| 10+ | $1.120 |
| 25+ | $1.010 |
| 50+ | $0.905 |
| 100+ | $0.801 |
| 250+ | $0.739 |
| 500+ | $0.678 |
| 1000+ | $0.643 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3010LPSQ-13
No. Parte Newark28AK8732
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id36A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5700µohm
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.26W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
Disipación de Potencia
1.26W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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