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DMP6110SVT-7
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6110SVT-7
No. Parte Newark39AH6611
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id7.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105
Resistencia de Activación Rds(on)0.105ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza DMP6110SVT-7
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105
Diseño de Transistor
TSOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.105ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.2W
Disipación de Potencia
1.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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