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DMP6110SVTQ-7
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6110SVTQ-7
No. Parte Newark39AH6612
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semana(s)
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6110SVTQ-7
No. Parte Newark39AH6612
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id7.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.105ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Diseño de TransistorTSOT-26
Disipación de Potencia1.2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TSOT-26
No. de Pines
6Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.105ohm
Disipación de Potencia Pd
1.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
1.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMP6110SVTQ-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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