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DMP65H9D0HSS-13
POWER MOSFET, 600V, 0.3A, SOIC-8 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP65H9D0HSS-13
No. Parte Newark76AJ4287
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.920 |
| 10+ | $1.530 |
| 25+ | $1.410 |
| 50+ | $1.290 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP65H9D0HSS-13
No. Parte Newark76AJ4287
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia1.9W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.9W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMP65H9D0HSS-13
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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