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DMS2085LSD-13
MOSFET, P-CH, 20V, 3.3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMS2085LSD-13
No. Parte Newark28AK8813
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.516 |
| 10+ | $0.319 |
| 25+ | $0.283 |
| 50+ | $0.245 |
| 100+ | $0.209 |
| 250+ | $0.181 |
| 500+ | $0.152 |
| 1000+ | $0.136 |
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Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMS2085LSD-13
No. Parte Newark28AK8813
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.07ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia1.1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.1W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.07ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto