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DMT10H010SPS-13
MOSFET, N-CH, 100V, 113A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT10H010SPS-13
No. Parte Newark28AK8858
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.120 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.915 |
| 100+ | $0.814 |
| 250+ | $0.729 |
| 500+ | $0.643 |
| 1000+ | $0.603 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT10H010SPS-13
No. Parte Newark28AK8858
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id113A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6600µohm
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia1.2W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.2W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
113A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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