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DMT32M5LPS-13
MOSFET, N-CH, 30V, 150A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT32M5LPS-13
No. Parte Newark28AK8866
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $0.929 |
| 25+ | $0.851 |
| 50+ | $0.774 |
| 100+ | $0.696 |
| 250+ | $0.663 |
| 500+ | $0.630 |
| 1000+ | $0.592 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT32M5LPS-13
No. Parte Newark28AK8866
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1600µohm
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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