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DMT6016LSS-13
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6016LSS-13
No. Parte Newark39AH6617
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semana(s)
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6016LSS-13
No. Parte Newark39AH6617
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id9.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto