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DMT61M5SPSW-13
MOSFET, N-CH, 60V, 215A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT61M5SPSW-13
No. Parte Newark21AJ9867
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.220 |
| 10+ | $2.510 |
| 25+ | $2.320 |
| 50+ | $2.150 |
| 100+ | $2.060 |
| 250+ | $1.970 |
| 500+ | $1.900 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT61M5SPSW-13
No. Parte Newark21AJ9867
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id215A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0011ohm
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
215A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
2.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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