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DMTH6016LFDFWQ-7R
MOSFET, N-CH, 60V, 9.4A, DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH6016LFDFWQ-7R
No. Parte Newark28AK8844
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.748 |
| 25+ | $0.671 |
| 50+ | $0.596 |
| 100+ | $0.519 |
| 250+ | $0.478 |
| 500+ | $0.437 |
| 1000+ | $0.396 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH6016LFDFWQ-7R
No. Parte Newark28AK8844
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id9.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0138ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorU-DFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.3W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0138ohm
Diseño de Transistor
U-DFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
2.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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