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DMTH6016LK3-13
MOSFET, N-CH, 60V, 46.9A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH6016LK3-13
No. Parte Newark28AK8846
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.627 |
| 10+ | $0.472 |
| 25+ | $0.420 |
| 50+ | $0.367 |
| 100+ | $0.314 |
| 250+ | $0.286 |
| 500+ | $0.259 |
| 1000+ | $0.234 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH6016LK3-13
No. Parte Newark28AK8846
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id46.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia3.2W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.2W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
46.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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