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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH8008LFGQ-13
No. Parte Newark57AK9509
Hoja de datos técnicos
4,683 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.210 |
| 10+ | $1.620 |
| 25+ | $1.480 |
| 50+ | $1.340 |
| 100+ | $1.200 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.961 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH8008LFGQ-13
No. Parte Newark57AK9509
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5300µohm
Diseño de TransistorPowerDI 3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia50W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Diseño de Transistor
PowerDI 3333
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto