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DP350T05-7.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDP350T05-7.
No. Parte Newark14AC8992
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo350V
Voltaje Máx. Colector a Emisor350V
Corriente del Colector Continua500mA
Corriente de Colector DC500mA
Disipación de Potencia300mW
Disipación de Potencia Pd300mW
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición50MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
350V
Corriente de Colector DC
500mA
Disipación de Potencia Pd
300mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30hFE
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
350V
Corriente del Colector Continua
500mA
Disipación de Potencia
300mW
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
50MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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