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MMBT5401-7-F
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteMMBT5401-7-F
No. Parte Newark07AH4156
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor150V
Corriente de Colector DC0
Corriente de Colector Continua600mA
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia310mW
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición300MHz
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
150V
Corriente de Colector Continua
600mA
Disipación de Potencia
310mW
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
300MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT5401-7-F
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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