Imprimir página
MMBT5401-7-F
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
11,440 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.204 |
| 10+ | $0.132 |
| 25+ | $0.117 |
| 50+ | $0.100 |
| 100+ | $0.085 |
| 250+ | $0.076 |
| 500+ | $0.065 |
| 1000+ | $0.052 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.20
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteMMBT5401-7-F
No. Parte Newark07AH4156
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua600
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia310
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MMBT5401-7-F is a PNP high-voltage transistor.
- Epitaxial planar die construction
- Complementary NPN type - MMBT5551
- Ideal for low-power amplification and switching
- SOT23 package
- Power dissipation is 310mW at TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- Collector-emitter saturation voltage is -0.2V max at IC = -10mA, IB = -1mA, TA = +25°C
- Current gain-bandwidth product is 300MHz max at VCE = -10V, IC = -10mA, f = 100MHz
- Noise figure is 8.0dB max at VCE = -5V, IC = -200μA, RS = 10 ohm, f = 1kHz
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia
310
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
300
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
150
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT5401-7-F
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto