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ZVN2110G
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN2110G
No. Parte Newark83K1665
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)4ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZVN2110G es un DMOSFET vertical de modo de mejora de canal N con velocidad de conmutación rápida.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2W
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZVN2110G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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