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ZVN3306A
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 10+ | $0.934 |
| 100+ | $0.676 |
| 500+ | $0.562 |
| 1000+ | $0.525 |
| 2500+ | $0.486 |
| 12000+ | $0.446 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN3306A
No. Parte Newark85K7746
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id270mA
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZVN3306A es un DMOSFET vertical en modo de mejora de canal N.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Disipación de Potencia Pd
625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
270mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza ZVN3306A
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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