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ZVN3320FTA
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal N, 200 V, 60 mA, 25 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN3320FTA
No. Parte Newark65T9544
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente25
Resistencia de Activación Rds(on)25ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
ZVN3320FTA is a N-channel enhancement mode vertical MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, battery operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low input capacitance, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 200V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 60mA at TA=+25°C
- Maximum body diode forward current is 60mA at TA=+25°C
- Pulsed source current (10µs pulse, duty cycle=1%) is 1A at TA=+25°C
- Power dissipation is 330mW
- Static drain-source on-resistance is 17ohm typ at VGS=10V, ID=100mA
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
25
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza ZVN3320FTA
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto