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ZVN4206A
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.880 |
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| 500+ | $0.511 |
| 1000+ | $0.475 |
| 2500+ | $0.454 |
| 12000+ | $0.435 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN4206ACopiar
No. Parte Newark96K3068
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id600mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd700mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia700mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZVN4206A es un DMOS FET vertical con modo de mejora de canal N de línea E de 60 V con resistencia de 1O y disipación de potencia de 700mW.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
600mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
700mW
Disipación de Potencia
700mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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