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ZVN4206AV
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN4206AV
No. Parte Newark98K4105
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Diseño de TransistorE-Line
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd700mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia700
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZVN4206AV es un DMOSFET vertical de modo de mejora de canal N con clasificación de avalancha repetitiva y no requiere protección transitoria. Es adecuado para aplicaciones de controladores de relés automotrices y controladores de motores paso a paso.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
E-Line
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
600
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
700mW
Disipación de Potencia
700
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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