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ZVP3306A
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 160 mA, 14 ohm, E-Line, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.965 |
| 10+ | $0.702 |
| 100+ | $0.525 |
| 500+ | $0.463 |
| 1000+ | $0.443 |
| 2500+ | $0.430 |
| 12000+ | $0.419 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP3306A
No. Parte Newark98K4112
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id160mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente14ohm
Resistencia de Activación Rds(on)14ohm
Diseño de TransistorE-Line
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZVP3306A es un modo de mejora de canal P Vertical DMOS FET.
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
14ohm
Diseño de Transistor
E-Line
Disipación de Potencia Pd
625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
160mA
Resistencia de Activación Rds(on)
14ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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