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ZVP3310F
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| 10+ | $0.601 |
| 25+ | $0.543 |
| 50+ | $0.493 |
| 100+ | $0.436 |
| 250+ | $0.396 |
| 500+ | $0.333 |
| 1000+ | $0.324 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP3310F
No. Parte Newark98K4114
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id75mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente20ohm
Resistencia de Activación Rds(on)20ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZVP3310F es un DMOSFET vertical en modo de mejora de canal P.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
20ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
75mA
Resistencia de Activación Rds(on)
20ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
330mW
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza ZVP3310F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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