Imprimir página
ZXM61N02F
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
2 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.667 |
| 10+ | $0.528 |
| 25+ | $0.450 |
| 50+ | $0.387 |
| 100+ | $0.335 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.67
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM61N02F
No. Parte Newark98K4137
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd806mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza ZXM61N02F
3 productos encontrados
Resumen del producto
El ZXM61N02F es un MOSFET de modo de mejora de canal N que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia con una velocidad de conmutación rápida. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
806mW
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto