Imprimir página
ZXMC3A17DN8TA
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 70 mohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
168 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.960 |
| 10+ | $1.350 |
| 25+ | $1.230 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.96
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMC3A17DN8TA
No. Parte Newark62M1299
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id5.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente70
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.07
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.1
Disipación de Potencia de Canal P2.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXMC3A17DN8TA es un MOSFET de modo de mejora complementario de canal N/P que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Es ideal para aplicaciones de alta eficiencia, bajo voltaje y retroiluminación de LCD.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Perfil bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.07
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.1
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza ZXMC3A17DN8TA
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto