Imprimir página
ZXMHC6A07N8TC
MOSFET Dual, Canal doble N y doble P complementario, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, 0.25 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC6A07N8TC
No. Parte Newark29AK9153
Hoja de datos técnicos
10 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.416 |
| 10+ | $0.416 |
| 25+ | $0.416 |
| 50+ | $0.416 |
| 100+ | $0.416 |
| 250+ | $0.416 |
| 500+ | $0.416 |
| 1000+ | $0.416 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.42
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC6A07N8TC
No. Parte Newark29AK9153
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary Dual N and Dual P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.39
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.39
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N870
Disipación de Potencia de Canal P870
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary Dual N and Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.39
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
870
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.39
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.25
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
870
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto