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ZXMN10A08E6TA
MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-26 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A08E6TA
No. Parte Newark29AK9156
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.774 |
| 10+ | $0.518 |
| 25+ | $0.474 |
| 50+ | $0.429 |
| 100+ | $0.385 |
| 250+ | $0.346 |
| 500+ | $0.312 |
| 1000+ | $0.298 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A08E6TA
No. Parte Newark29AK9156
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-26
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia1.1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Diseño de Transistor
SOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.1W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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