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ZXMN10A11G
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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| 25+ | $0.942 |
| 50+ | $0.851 |
| 100+ | $0.746 |
| 250+ | $0.670 |
| 500+ | $0.554 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A11G
No. Parte Newark98K4130
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id2.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd3.9W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.9
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXMN10A11G es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeado y acabado de estaño mate soldable recocido sobre terminales de marco de plomo de cobre según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Accionamiento de puerta baja
- Baja capacitancia de entrada
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
3.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZXMN10A11G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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