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ZXMN2A01FTA
MOSFET de Potencia, Bajo Voltaje, Canal N, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.662 |
| 10+ | $0.489 |
| 25+ | $0.440 |
| 50+ | $0.391 |
| 100+ | $0.342 |
| 250+ | $0.308 |
| 500+ | $0.273 |
| 1000+ | $0.252 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN2A01FTA
No. Parte Newark38K9591
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.12ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd806mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia806mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXMN2A01FTA es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeado y acabado de estaño mate soldable recocido sobre terminales de marco de 42 conductores de aleación de cobre según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Accionamiento de puerta baja
- Bajo umbral
- Pequeño paquete de montaje en superficie
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.12ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
806mW
Disipación de Potencia
806mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZXMN2A01FTA
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto