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ZXMN2B14FH
MOSFET de Potencia, Bajo Voltaje, Canal N, 20 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.955 |
| 10+ | $0.796 |
| 25+ | $0.713 |
| 50+ | $0.645 |
| 100+ | $0.565 |
| 250+ | $0.508 |
| 500+ | $0.419 |
| 1000+ | $0.407 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN2B14FH
No. Parte Newark59M3730
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (3)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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