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ZXMN6A11DN8TA
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.450 |
| 10+ | $1.040 |
| 25+ | $0.940 |
| 50+ | $0.842 |
| 100+ | $0.744 |
| 250+ | $0.675 |
| 500+ | $0.606 |
| 1000+ | $0.545 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.45
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN6A11DN8TA
No. Parte Newark62M1304
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id3.2A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.1W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXMN6A11DN8TA es un MOSFET de modo de mejora de doble canal N con una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión y una conmutación rápida. Es ideal para aplicaciones de convertidor de CD a CD.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Perfil bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.18ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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