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ZXMS6005DT8TA
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 1.8 A, 0.15 ohm
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMS6005DT8TA
No. Parte Newark55T7439
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id1.8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.15ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-223
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.16W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXMS6005DT8TA es un MOSFET INTELLIFET® de modo de mejora autoprotegido de doble canal N con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico protegido contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión (pinza activa) y ESD. Es ideal como interruptor de uso general impulsado por microcontroladores de 3.3 o 5 V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes. Es adecuado para aplicaciones de controladores de lámparas, relevadores y solenoides.
- Paquete dual compacto
- Corriente de entrada baja
- Entrada de nivel lógico
- Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
- Apagado térmico con reinicio automático
- Alta calificación de corriente continua
- Producto verde, libre de halógenos
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.15ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia de Canal N
1.16W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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