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ZXTP25100BFH
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 100 V, 2 A, 1.25 W, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.855 |
| 25+ | $0.767 |
| 50+ | $0.693 |
| 100+ | $0.607 |
| 250+ | $0.545 |
| 500+ | $0.450 |
| 1000+ | $0.436 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXTP25100BFH
No. Parte Newark13M5719
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Corriente del Colector Continua2A
Disipación de Potencia1.25W
Disipación de Potencia Pd1.25W
Corriente de Colector DC2A
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición200MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXTP25100BFH es un transistor bipolar PNP de potencia media con capacidad de proceso avanzada. El diseño del paquete del dispositivo se ha utilizado para maximizar el manejo de potencia y el rendimiento del transistor de contorno pequeño. El tamaño compacto y las clasificaciones de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones donde el espacio es primordial.
- Encapsulado SOT23 de disipación de alta potencia
- Corriente de pico alto
- Voltaje de saturación bajo
- Voltaje de bloqueo directo de 140V
- Voltaje de bloqueo inverso de 7V
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Disipación de Potencia
1.25W
Corriente de Colector DC
2A
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Corriente del Colector Continua
2A
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Frecuencia de Transición
200MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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