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DIW065SIC015
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 150 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 5+ | $32.990 |
| 10+ | $31.310 |
| 25+ | $29.790 |
| 50+ | $28.110 |
| 100+ | $27.600 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDIW065SIC015
No. Parte Newark26AM0855
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id150A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia550W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
550W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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