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2N7637-GA
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, TO-257, 3 Pines, 250 °C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte Fabricante2N7637-GA
No. Parte Newark46W5841
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Voltaje de Ruptura Vbr-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Diseño de TransistorTO-257
Tipo de TransistorJFET
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.250°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
250°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Ruptura Vbr
-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Diseño de Transistor
TO-257
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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